产品介绍
- 鑫单晶G1硅片
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- 2011年发布了“鑫单晶”类单晶硅片，其转换效率最高可达18.5%，接近传统的直拉单晶硅片；
- “鑫单晶”的成本要低于直拉单晶硅片，与定向凝固多晶铸锭成本相近；
- 鑫单晶硅片光衰减要优于直拉单晶硅片，平均低一个百分点以上。
- 鑫单晶G2硅片
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- 2013年12月，公司发布了其第二代类单晶硅片产品-“鑫单晶G2”，并宣布其进入商业化量产。
- 相较于2011年发布的第一代类单晶“鑫单晶G1”产品，“鑫单晶G2”平均光电转换效率提升了1.1%，硅片性能取得大幅度提升，可用于制备280/335W（60/72PCS）以上的电池组件。
- 相较于以传统直拉法制得的单晶产品，“鑫单晶G2”在电池制备过程中有0.5%的额外效率增益，光衰平均低1%，同时具有转换效率相近、面积大、封装损失低等特点，是单晶铸锭技术取得的重大产品突破。
- 鑫单晶G3-全新的铸锭技术平台
- 第四代铸锭单晶硅片产品——G4
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- G4铸锭单晶硅片较上一代G3产品效率提升0.10~0.15%
- G4已在部分客户实现批量导入，同产线、同工艺条件下与直拉单晶效率差值0.2%以内
- PERC+SE电池工艺条件下，G4量产平均效率均值＞22.1%，外观完美
- 铸锭单晶产品尺寸灵活，未来更倾向于166尺寸
- 以158.75尺寸硅片、72片版型为例，组件功率全面突破400Wp，档位更为集中
- 适用于PERC\MWT\MBB\双面\topcon等各种电池工艺
- 适用于半片、拼片、叠瓦组件等各种组件技术
